ポリ・メタル・ヒューズ

ポリ・メタル・ヒューズ

現代のeFuseは，ポリシリコンの上にコバルトあるいはニッケルのシリサイドを持つ構造となっています．エレクトロ・マイグレーション効果によりシリサイド原子を移動させ，非導電状態とすることによって，ヒューズへの書込みを行います．ヒューズの多くは，ウエファーの状態で正確に管理された電源を用いて書込みする必要があり，パッケージ化された個別部品の状態での書込みはかなり困難です．ビット・セルの面積は，標準CMOSプロセスの不揮発メモリ（NVM）としては，最も大きなサイズとなります．４Kb以上の容量になると，SOCのチップ・サイズのかなりの部分を占める様になります．eFuseは，通常カスタム・デザインとして，ファウンドリからマクロで提供されます．従ってファウンドリの事前承認なくして，別のファウンドリへのポーテイングはできません