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キロパス社のアンチ・ヒューズ

CMOSアンチ・ヒューズ技術はeFuseとは正に正反対の立場にあります.回路は初期状態でオープン(高抵抗)であり,電気的ストレスによる書込みによって低抵抗の伝導経路を創りだしてショート状態にします.ゲート酸化膜を破壊することにより,1回書込み型不揮発メモリとして機能します.プログラミング・トランジスタ(WLP)のゲートとソース間の破壊の前は,コンデンサの様に絶縁状態にあります.破壊の後はゲート酸化膜はゲートとソース間の抵抗となります.プログラミング・トランジスタ(WLP)は,選択トランジスタ(WLR)とは絶縁されています.プログラミング・トランジスタも読み出しトランジスタも通常の主たるトランジスタ素子を使用しているので,テクノロジーが微細化すれば,ビット・セルの持つ拡張性が高くなります.つまり技術の進展とともに,ビット・セルの性能,機能,規模など柔軟に向上させることができます.

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